電動工具、鋰電保護板推薦MOS管 KCX2704A：40V 150A-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-09-23
KIA MOS管-KCX2704A：40V 150A KCX2704A是由國內專注研發的優質MOS管廠家生產。KCX2704A是一款SGT工藝產品，是使用LVMOS技術生產的N溝道增強型功率MOSFET。改進的工藝和單元結構特別定制，以最小化導通電阻，提供優越的開關性能。該設備廣泛用于UPS和逆變器系統的電源管理等。
隨著手機快充、電動汽車、無刷電機和鋰電池的興起，中壓MOSFET的需求越來越大，中壓功率器件開始蓬勃發展，因其巨大的市場份額，國內外諸多廠商在相應的新技術研發上不斷加大投入。SGT MOSFET作為中MOSFET的代表，被作為開關器件廣泛應用于電機驅動系統、逆變器系統及電源管理系統，是核心功率控制部件。
SGT MOSFET結構具有電荷耦合效應，在傳統溝槽MOSFET器件PN結垂直耗盡的基礎上引入了水平耗盡，將器件電場由三角形分布改變為近似矩形分布，在采用同樣摻雜濃度的外延材料規格情況下，器件可以獲得更高的擊穿電壓。
較深的溝槽深度，可以利用更多的硅體積來吸收EAS能量，所以SGT在雪崩時可以做得更好，更能承受雪崩擊穿和浪涌電流。在開關電源，電機控制，動力電池系統等應用領域中，SGT MOSFET配合先進封裝，非常有助于提高系統的效能和功率密度。
SGT技術優勢：
提升功率密度
SGT結構相對傳統的Trench結構，溝槽挖掘深度深3-5倍，可以橫向使用更多的外延體積來阻止電壓，顯著降低了MOSFET器件的特征導通電阻（Specific Resistance），例如相同的封裝外形PDFN5*6，采用SGT芯片技術，可以得到更低的導通電阻。
極低的開關損耗
SGT相對傳統Trench結構，具有低Qg 的特點。屏蔽柵結構的引入，可以降低MOSFET的米勒電容CGD達10倍以上，有助于降低器件在開關電源應用中的開關損耗。另外，CGD/CGS的低比值也是目前同步整流應用中抑制shoot-through的關鍵指標，采用SGT結構，可以獲得更低的CGD/CGS比值。
更好的EMI優勢
SGT MOS結構中的內置電阻電容緩沖結構，可以抑制DS電壓關斷時的瞬態振蕩，開關電源應用中，SGT結構中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件關斷時dv/dt變化帶來的尖峰和震蕩，進一步降低應用風險。
VGS=10V時，RDS（ON）=1.25mΩ（典型值）
低柵極電荷
低Crss
快速切換
額定極限dv/dt
100%雪崩測試
無鉛電鍍
符合RoHS
KCX2704A漏源擊穿電壓40V，漏極電流最大為150A；開啟延遲典型值為22nS，關斷延遲時間典型值為87nS，上升時間64nS，下降時間28nS，反向傳輸電容43pF，反向恢復時間67nS，正向電壓的典型值1.4V。
圖：KCX2704A引腳配置
圖：KCX2704A規格書
【KCX2704A應用】
40V 150A MOS管KCX2704A推薦用于鋰電池保護板、無人機電調、同步整流、電動工具等。
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