【圖文】MOS管飽和區(qū)、三極管飽和區(qū)的區(qū)別-KIA MOS管

mos：iDs不隨Vds增加而增加；

bjt:iC不隨iB的增加而增加；

MOS管三極管飽和區(qū)

典型VT=1V;

MOS管三極管飽和區(qū)

三極管的飽和區(qū)：Ic不隨Ib的增大而增大，所以稱為飽和區(qū)。

MOS管的飽和區(qū)：Ids不隨Vds的增大而增大，所以稱為飽和區(qū)。

其實(shí)，三極管在線性區(qū)時(shí),Ib=B Ic, 在VCE與Ib的曲線圖中,一般希望靜態(tài)工作點(diǎn)Q落在中間也就是落在線性區(qū)間.在飽和區(qū),基極的電流不會(huì)在集電極端放大.在應(yīng)用時(shí)我們使用Ib進(jìn)行放大。

而MOS管則不同,首先MOS管的柵極電流接近0,不會(huì)被放大.主要是溝道電流Ids由柵極電壓和溝道電壓(參考ids同vgs,vds的關(guān)系式).在飽和區(qū),忽略溝道長(zhǎng)度調(diào)整,其Ids在飽和區(qū)就接近恒定了,實(shí)際上不是這樣的,Ids由vgs來(lái)放大,希望vds對(duì)放大的影響小,因而只有在飽和區(qū)內(nèi)放大信號(hào)是有意義的。

聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1

請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)

請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供 MOS管技術(shù)幫助

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來(lái)源其它出處，如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系刪除。