【圖文】MOS管飽和區、三極管飽和區的區別-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-05-16
mos：iDs不隨Vds增加而增加；
bjt:iC不隨iB的增加而增加；
典型VT=1V;
三極管的飽和區：Ic不隨Ib的增大而增大，所以稱為飽和區。
MOS管的飽和區：Ids不隨Vds的增大而增大，所以稱為飽和區。
其實，三極管在線性區時,Ib=B Ic, 在VCE與Ib的曲線圖中,一般希望靜態工作點Q落在中間也就是落在線性區間.在飽和區,基極的電流不會在集電極端放大.在應用時我們使用Ib進行放大。
而MOS管則不同,首先MOS管的柵極電流接近0,不會被放大.主要是溝道電流Ids由柵極電壓和溝道電壓(參考ids同vgs,vds的關系式).在飽和區,忽略溝道長度調整,其Ids在飽和區就接近恒定了,實際上不是這樣的,Ids由vgs來放大,希望vds對放大的影響小,因而只有在飽和區內放大信號是有意義的。
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