MOS管結構及其I/V特性詳細分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-03-30
以NMOS為例介紹MOSFET的基本結構，如下圖所示，器件以p型硅為襯底，并擴散形成兩個重參雜n+的區域，分別為源端（Source）和漏端（Drawn），應當注意的是，對于單個器件，源端和漏端是人為定義的，兩者是對稱可交換的。
對于NMOS器件，源端一般接在電路的最低電位（接地），但對與PMOS源端一般接在最高電位（Vdd）。源漏之間的存在導電溝道，其理論長度為 LdrawnL，但是由于在形成過程中國的非理想因素的影響，導電溝道的長度會有一定程度的減小，也即 LeffL ,兩者之間的距離差為由于電子（空穴）熱運動引起的遷移長度LD。
在溝道上方先生長一層絕緣的二氧化硅，然后再生長已成多晶硅作為柵極，與源漏方向垂直的珊的尺寸叫柵寬W。可以知道，柵極與器件的其他部分是絕緣的，但是柵極卻在MOS導電方面起著極其重要的作用：通過在柵極施加電壓影響溝道的空穴（電子）的遷移進而影響器件的導電性能。
由此可見，在一定程度上來講，MOSFET是壓控器件，這在后面也會提到。應當注意的是，MOSFET是一個四端器件，但是通常情況下為了避免二級效應帶來的影響，會將器件的源端和漏端相連，作為一個三端器件使用。
上圖顯示了在（ VGS ? VTH ）一定時漏源之間的電流隨著漏源之間的電壓變化的趨勢，從圖中可以看出，MOSFET的I/V特性曲線被劃分到兩個區域，即左上方的逐漸增加區域(三極管區)以及右下方的穩定區域（飽和區），其分別可以用兩個公式來描述：
上述μn為電子遷移率， COX為柵氧化層的電容，W為柵寬，L為柵長，VGS為柵源之間的電壓，VDS為漏源之間的電壓，VTH為MOS結構的閾值電壓
ΦMS為多晶硅柵和硅襯底功函數之間的壓差，Nsub是襯底的參雜濃度，Qdep是耗盡區電荷，tox為氧化層厚度，ε表示對應的介電常數，進一步的，當 VDS ＜<（VGS ? VTH）時：
此時可以將MOSFET看作是一個電阻，并稱MOSFET工作在深三極管區
注：對于PMOS器件，只需將上述公式中的μn改為up并添加負號即可。考慮到由于器件工作在飽和區時，ID保持不變，因此定義一個電導來描述它
該電導被稱之為跨導，它表征了柵源電壓轉換為漏電流的能力。
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