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【什么是場(chǎng)效應(yīng)管】場(chǎng)效應(yīng)管作用是什么

信息來(lái)源：本站　日期：2017-07-13　

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場(chǎng)效應(yīng)管的分類

場(chǎng)效應(yīng)管可分為兩類：一類足結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，另一類是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，也稱MOS管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管依據(jù)其溝道所采用的半導(dǎo)體資料，又分為N溝道和P溝道兩種；絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管除有N溝道和P溝道之格外，還有加強(qiáng)型與耗盡型之分。如圖6-2所示。

1．結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(簡(jiǎn)稱JFET)

N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的基體是一塊N型硅資料。從基體引出兩個(gè)電極分別叫源極(s)和漏極(D)。在基體兩邊各附一小片P型資料，其引出的電極叫柵極(G)。這樣，在溝道和柵極之間構(gòu)成廠兩個(gè)PN結(jié)，當(dāng)柵極開(kāi)路時(shí)，溝道就相當(dāng)于一個(gè)電阻，不同型號(hào)的管子其阻值相同，普通大約為數(shù)百歐到千歐。圖6-3所示為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的構(gòu)造與符號(hào)。

2．絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(簡(jiǎn)稱MOSFET)

依據(jù)絕緣層所用資料之不同，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管有多品種型，目前應(yīng)用最普遍的一種是以二氧化硅(Si02)為絕緣層的金屬—氧化物—半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。

絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管分為加強(qiáng)型與耗盡型，每一類又有N溝道、P溝道之分。

絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的特性是輸人電阻高，便于做成集成電路。在一塊N型硅片上有兩個(gè)相距很近濃度很高的P擴(kuò)散區(qū)，分別為源極和漏極。在源區(qū)與漏區(qū)之間的硅片上，有一層絕緣二氧化硅，絕緣層上掩蓋著金屬鋁，這就是柵極。柵極和其他電極之間是絕緣的，所以稱為絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。由于源、柵之間有一層氧化層，這種管子根本上沒(méi)有柵極電流，因而輸入阻抗十分高。圖6-4所示為絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的構(gòu)造與場(chǎng)效應(yīng)管符號(hào)。