場效應管的基礎知識，命名方法，參數
信息來源：本站 日期：2017-07-07
場效應管場效應管是應用電場效應來控制電流變化的放大元件。它與晶體管相比，具有輸入阻高、噪聲低、熱穩定性好等優點，因此得到了疾速開展與應用。場效應管與晶體管同為放器件，但工作原理不同：晶體管是電流控制器件，在一定條件下，其集電極電流受基極電控制；而場效應管是電壓控制器件，電了電流受柵極電壓控制。
場效應管的基本知識
定義
場效應晶體管簡稱場效應管。它由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高，噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成，沒有二次擊穿現象、平安工作區域寬等優點。在開關電源中常用的是金屬—氧化物—半導體場效應管MOSFET（MetalOxide Semicoductor Field Effect Tran-sistor），它是由金屬、氧化物（Sio2或SiN)半導體三種資料制成的，是應用電壓控制電流以完成放大作用的半導體器件。
2．功用
①場效應管可應用于放大。由于場效應管的放大器的輸入電阻很高，所以其耦合電容的容量能夠較小：不用運用電解電容。
② 場效應管能夠用做電子開關。
③場效應管的輸入阻抗很高，因而它十分合適用于阻抗變換。它常用在多級放大器的輸入級停止阻抗變換。
④場效應管能夠用做可變電阻。
⑤場效應管能夠便當地用做恒流源。
3.場效應管的分類
場效應管分為結型、絕緣柵型兩大類。結型場效應管(JFET)因有兩個PN結而得名，絕緣柵型場效應管則因柵極與其他電極完整絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應管中，應用最為普遍的是MOS場效應管，簡稱MOS管（即金屬—氧化物—半導體場效應管，MOSFET）；此外還有PMOS，NMOS和UMOS功率場效應管，以及最近剛問世的，πMOS場效應管等。按溝道半導體資料的不同，結型和絕緣柵型場效應管各分為N溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分，場效應管又可分紅耗盡型與加強型。結型場效應管均為耗盡型，MOS柵型場效應管既有耗盡型的，也有加強型的。場效應晶體管可分為結型場效應晶體管和Mos場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和加強型，P溝耗盡型和加強型四大類。
4．主要參數
1)直流參數
開啟電壓UT：是指加強型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。
夾斷電壓uGS（Off，（也能夠用UP）：是指加強型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。
飽和漏極電流IDss：指耗盡型絕緣柵場效應管在UGS=o時的漏極電流。
輸入電阻RDS(DC)：因iG=0，所以輸入電阻很大。JPET的輸入電阻大于107Ω，MOSFET的輸入電阻大于1012Ω。
2)交流參數 低頻跨導（互導）gm：反映了柵源電壓對漏極電流的控制才能，且與工作點有關，是轉移特性曲線上過Q點切線的斜率。
3)極限參數 最大漏—源電壓U（BR)DS:漏極左近發作雪崩擊穿時的UDs（漏源電壓）。 最大柵—源電壓U（BR)CS:柵極與源極間PN結的反向擊穿電壓。 最大耗散功率PDM:與晶體管的PcM類似，當功率超越PDM時，場效應管可能燒壞。
場效應管的命名辦法
第一種命名辦法：與雙極型晶體管相同，其中第三位字母為J代表結型場效應管，為0代表絕緣柵場效應管；
第二位字母代表資料，其中D是P型硅，其反型層是N溝道，C是N型硅，其反型層是P溝道。例如，3DJ6D是結型N溝道場效應品體管，3D06C是絕緣柵型N溝道場效應晶體管。第二種命名辦法：CS X x#，其中CS代表場效應管，xx是以數字代表型號的序號，#是用字母代表同一型號中的不同規格，如CS14A、CS45G等。
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