場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管有什么不同？-KIA MOS管

場(chǎng)效應(yīng)管和晶閘管區(qū)別

關(guān)于這兩個(gè)電子器件在很多電路中都會(huì)遇到，比如場(chǎng)效應(yīng)管可以作為電磁爐中的開(kāi)關(guān)振蕩管、電瓶車充電器電路中作為開(kāi)關(guān)管使用，場(chǎng)效應(yīng)管尤其在電腦主板中用的比較多；

對(duì)于晶閘管，俗稱可控硅，晶閘管用的也非常多，比如在一些調(diào)速風(fēng)扇的電路中就能夠見(jiàn)到可控硅、在智能調(diào)光電路中也是用的可控硅和在洗衣機(jī)電路中都可以用到可控硅，下面來(lái)看看這兩個(gè)器件有何區(qū)別。

一、場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管的控制方式不同

1、場(chǎng)效應(yīng)管

隨著電子技術(shù)不斷進(jìn)步，場(chǎng)效應(yīng)管的種類有好幾種，最常見(jiàn)的有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（FET管）和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET管）這兩類。

這兩類場(chǎng)效應(yīng)管都有一個(gè)共同的特點(diǎn)，它們都是利用半導(dǎo)體內(nèi)的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制場(chǎng)效應(yīng)管電流大小的，下面用金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，也就是俗稱的MOS管來(lái)說(shuō)明這個(gè)問(wèn)題。

比如下圖的N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，當(dāng)柵極與源極間的Ugs電壓大于一定值時(shí)，并且Uds大于零，這時(shí)Rds的等效電阻非常小，就可以有較大的電流由漏極流向源極，它們之間就好像用一根導(dǎo)線連起來(lái)一樣。

2、晶閘管

晶閘管，它是一個(gè)功率半導(dǎo)體器件，是在二極管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，可用于整流半導(dǎo)體器件。

下面說(shuō)說(shuō)如何控制它的通斷，要使晶閘管導(dǎo)通要滿足兩個(gè)條件，第一個(gè)是要給晶閘管的控制極G加一個(gè)觸發(fā)信號(hào)，也就是在門極G和晶閘管的陰極K之間加一個(gè)足夠大的正向電流與電壓，同時(shí)呢晶閘管的陽(yáng)極要高于陰極，這樣陽(yáng)極A與陰極K之間的等效電阻就非常小了，就像用導(dǎo)線連接起來(lái)一樣。

當(dāng)要關(guān)斷晶閘管時(shí)，只要把陽(yáng)極A與陰極K之間的電流減小到一定值的時(shí)候，這個(gè)晶閘管的陽(yáng)極A與陰極K之間就像斷開(kāi)一樣，無(wú)法有電流通過(guò)。或者把晶閘管的陽(yáng)極A的電壓低于陰極K的電壓也可以關(guān)斷這個(gè)晶閘管。

通過(guò)上面的分析我們可以知道，場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管的控制方式是不同的，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制其通斷的半導(dǎo)體器件，我們稱它是壓控型器件；

晶閘管的控制方式是由一定的電流值來(lái)觸發(fā)晶閘管的導(dǎo)通，我們俗稱它是流控型器件而且它是一個(gè)半控型半導(dǎo)體器件，也就是說(shuō)晶閘管的門控極G只能控制晶閘管的導(dǎo)通而不能控制晶閘管的關(guān)斷。

二、場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管的輸入電阻不同

場(chǎng)效應(yīng)管的直流等效輸入電阻非常高，其阻值可以達(dá)到10九次方歐姆，對(duì)于MOSFET管來(lái)說(shuō)最高可以達(dá)到10十五次方歐姆，鑒于這樣的特點(diǎn)來(lái)說(shuō)由場(chǎng)效應(yīng)管組成的電路功耗都比較小、它的穩(wěn)定性和抗干擾能力都很強(qiáng)，所以現(xiàn)在很多集成芯片中都采用的是場(chǎng)效應(yīng)管組成的集成電路，有的工作電壓可以低到2V以下。

而對(duì)與晶閘管組成的電路來(lái)說(shuō)在輸入直流等效電阻方面它比較低、這樣就決定了它的功耗非常大，抗干擾能力遠(yuǎn)不如場(chǎng)效應(yīng)管，這也就說(shuō)明了晶閘管組成的電路它的穩(wěn)定性也不如場(chǎng)效應(yīng)管。

三、場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管的作用不同

從它們的組成結(jié)構(gòu)可以看出，對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管來(lái)說(shuō)它可以放大信號(hào)，因此可以用在放大電路中作為放大器來(lái)用，也可以作為高速電子開(kāi)關(guān)控制負(fù)載的通斷，比如開(kāi)關(guān)電源中的場(chǎng)效應(yīng)管就起到這個(gè)功能，同時(shí)運(yùn)用場(chǎng)效應(yīng)管還可以實(shí)現(xiàn)調(diào)速控制，比如PWN波的調(diào)制輸出、令外在調(diào)光電路、調(diào)溫電路等都可以用到。

從晶閘管的工作過(guò)程來(lái)看它不能用來(lái)放大電路的信號(hào)，因此它是不可以作為器放大器來(lái)使用的。一般晶閘管用在整流電路和控制大負(fù)載電路中。當(dāng)它作為電子開(kāi)關(guān)使用時(shí)，其工作頻率也沒(méi)有場(chǎng)效應(yīng)管高，一般只能用在低速控制的場(chǎng)合。

四、場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管的集成度不同

從場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)可以看出它的結(jié)構(gòu)相對(duì)來(lái)說(shuō)比較簡(jiǎn)單，尤其在制造工藝上要比晶閘管簡(jiǎn)單許多，再加上其功耗小，噪聲低同時(shí)熱穩(wěn)定性也很好，抗輻射能力也強(qiáng)。

對(duì)于集眾多優(yōu)點(diǎn)于一身的它在大規(guī)模和超大規(guī)模的集成電路中都會(huì)被用到，對(duì)于晶閘管來(lái)說(shuō)就無(wú)法做到這一點(diǎn)。

五、場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管的“短板”不一樣

場(chǎng)效應(yīng)管在平時(shí)儲(chǔ)存保管的時(shí)候?qū)o電要求非常高，由于MOS管的輸入阻抗非常高，在MOS管不使用的時(shí)候一定要將柵極G、源極S和漏極D這三個(gè)電極短接在一起，這樣可以防止場(chǎng)效應(yīng)管因靜電場(chǎng)的電壓較高使場(chǎng)效應(yīng)管損壞。

所以場(chǎng)效應(yīng)管的弱點(diǎn)是對(duì)靜電的要求比較嚴(yán)格。因此我們?cè)诤附訄?chǎng)效應(yīng)管時(shí)所使用的電烙鐵要有外接地線，這樣可以屏蔽掉交流電場(chǎng)，防止場(chǎng)效應(yīng)管遭到損壞；

當(dāng)焊接場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，特別是MOSFET管時(shí)，都是先把烙鐵的電源斷掉，然后用烙鐵的余熱去焊接場(chǎng)效應(yīng)管。而對(duì)于晶閘管來(lái)說(shuō)，它的“軟肋”是過(guò)電流的能力比較差，在組成電路時(shí)要設(shè)計(jì)很多的保護(hù)環(huán)節(jié)，使用相對(duì)比較麻煩。

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