場效應管漏極以及與源極的本質區別-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-03-24
圖11-7所示是場效應管漏極12-21C/W1D-AR1S2/2C特性曲線，它與晶體三極管的輸出特性曲線相似。電壓UcJ。一定時，漏極電流五會隨漏、源極之間電壓Us變化而改變，這一特性稱為漏極特性。圖中，橫坐標表示漏、源極之間電壓。縱坐標表示漏電流五。
場效應管漏極特性曲線是一個曲線族，在電壓U。值不同時，有不同的漏極特性曲線（在晶體三極管輸出特性曲線中改變，獲得一條輸出特性曲線）。從這一點上也可以看出，場效應管是一個電壓控制器件。
從漏極特陛曲線中可以看出有3個區，即I區、Ⅱ區、Ⅲ區，表11-6所示是對這三個區的說明。
場效應管同三極管一樣，用于放大信號時要給予它適當的偏置電壓，即給柵極一個直流偏置電壓。這一電壓是加到柵極與源極之間的。
對結型場效應管而言，柵極與源極之間應加反向偏置電壓。
對于絕緣柵場效應管而言，視是增強型還是耗盡型而有所不同：對增強型管而言，柵極與源極之間應采用正向偏置；對耗盡型管而言，柵極與源極之間可加正向、零、反向偏置。
一、兩者的結構原理不同：
1、源極的結構原理：一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。
如果在一塊P型半導體的兩邊各擴散一個高雜質濃度的N+區，就可以制成一個P溝道的結型場效應管。上圖給出了這種管子的結構示意圖和它在電路中的代表符號。由結型場效應管代表符號中柵極上的箭頭方向，可以確認溝道的類型。
2、漏極的結構原理：在兩個高摻雜的P區中間，夾著一層低摻雜的N區（N區一般做得很薄），形成了兩個PN結。在N區的兩端各做一個歐姆接觸電極，在兩個P區上也做上歐姆電極，并把這兩P區連起來，就構成了一個場效應管。
二、兩者的特點不同：
1、源極的特點：屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。
2、漏極的特點：可以將多個開漏輸出的Pin，連接到一條線上。通過一只上拉電阻，在不增加任何器件的情況下，形成“與邏輯”關系。這也是I2C，SMBus等總線判斷總線占用狀態的原理。利用外部電路的驅動能力，減少IC內部的驅動，?或驅動比芯片電源電壓高的負載。
三、兩者的作用不同：
1、源極的作用：共射極放大電路類似，共源極放大電路具有一定的電壓放大能力，且輸出電壓與輸入電壓反相，故被稱為反相電壓放大器；共源極放大電路的輸入電阻很高，輸出電阻主要由漏極電阻Rd決定。適用于作多級放大電路的輸入級或中間級。
2、漏極的作用：由于漏級開路，所以后級電路必須接一上拉電阻，上拉電阻的電源電壓就可以決定輸出電平。這樣就可以進行任意電平的轉換了。
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