MOS管柵極反并聯(lián)二極管及MOS管并聯(lián)理論-KIA MOS管

MOS管柵極反并聯(lián)二極管的作用

經(jīng)常會(huì)看到MOS驅(qū)動(dòng)電路中柵極電阻會(huì)反并聯(lián)一個(gè)二極管。

MOS使用在半橋電路中的情況特別多，而半橋電路要求上下管具有死區(qū)時(shí)間，可能由于之前電子技術(shù)還不夠先進(jìn)，控制芯片無(wú)法生成互補(bǔ)的帶死區(qū)時(shí)間的PWM信號(hào)，只能通過(guò)MOS“慢開(kāi)快關(guān)”來(lái)生成死區(qū)。

在柵極電阻上反并聯(lián)二極管就實(shí)現(xiàn)了MOS的快速關(guān)斷。

另外，大功率MOS一般用在不超過(guò)200V的低壓場(chǎng)合（當(dāng)然很早就有600V左右的高壓MOS，用在小功率的開(kāi)關(guān)電源中），而且一般不采取負(fù)壓驅(qū)動(dòng)。

驅(qū)動(dòng)芯片一般也不會(huì)有米勒鉗位功能。要抑制米勒電容引起的寄生導(dǎo)通只能通過(guò)增加?xùn)艠O電容或者減小關(guān)斷狀態(tài)下的柵極回路阻抗，因此反并聯(lián)二極管對(duì)抑制寄生導(dǎo)通有一定作用。

晶體管與MOS管并聯(lián)理論：

(1)、晶體管具有負(fù)的溫度系數(shù)，即當(dāng)溫度升高時(shí)，導(dǎo)通電阻會(huì)變小。

(2)、MOS管具有正的溫度系數(shù)，即當(dāng)溫度升高時(shí)，導(dǎo)通電阻會(huì)逐漸變大。

相比于晶體管，MOS管的特性更加適合并聯(lián)電路中的均流，因此當(dāng)電路中電流很大時(shí)，一般會(huì)采用并聯(lián)MOS管的方法來(lái)進(jìn)行分流。

采用MOS管進(jìn)行電流的均流時(shí)，當(dāng)其中一路電流大于另一路MOS管中的電流時(shí)，電流大的MOS管產(chǎn)生的熱量多，從而引起導(dǎo)通電阻的增大，減少流過(guò)的電流；

MOS管之間根據(jù)電流大小的不同來(lái)反復(fù)調(diào)節(jié)，最后可實(shí)現(xiàn)兩個(gè)MOS管之間的電流均衡。

注：晶體管也可以通過(guò)并聯(lián)來(lái)實(shí)現(xiàn)大電流的流通，但是此時(shí)需要通過(guò)在基極串接驅(qū)動(dòng)電阻來(lái)解決各個(gè)并聯(lián)晶體管之間的電流均衡問(wèn)題。

晶體管(MOS管)并聯(lián)注意事項(xiàng)：

(1)、各個(gè)晶體管(MOS管)的基極(柵極)不能直接相連，要分別串接驅(qū)動(dòng)電阻進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，以防止振蕩。

(2)、要控制各個(gè)晶體管(MOS管)的開(kāi)啟時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間保持一致，因?yàn)槿绻灰恢拢乳_(kāi)啟的管子或后關(guān)斷的管子會(huì)因電流過(guò)大而擊穿損壞。

(3)、為了以防萬(wàn)一，最好在各個(gè)晶體管(MOS)管的發(fā)射極(源極)串接均流電阻，當(dāng)然這并非強(qiáng)制選項(xiàng)。

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