MOSFET-MOSFET與符號(hào)圖文解析（附動(dòng)畫(huà)圖）

MOSFET與符號(hào)詳解,MOSFET是很常用的一個(gè)器件，可以起到“導(dǎo)通”“截止”的狀態(tài)，大量的用在電源處理中。先從量上來(lái)說(shuō)，NMOS器件是比PMOS要更常見(jiàn)，因?yàn)镻MOS開(kāi)關(guān)慢，電壓高，很費(fèi)勁。如果能找到源柵漏這幾個(gè)標(biāo)注，可以通過(guò)寄生二極管的方向來(lái)做判斷。

今天寫(xiě)一下，MOS管電路符號(hào)和寄生二極管方向，和半導(dǎo)體類型的對(duì)應(yīng)關(guān)系。

NMOS和PMOS，都是MOS管的一種類型。MOS，叫金屬氧化物半導(dǎo)體。

氧化物是一個(gè)絕緣介質(zhì)，氧化物上下兩側(cè)都是金屬，那就是一個(gè)電容。

氧化物其中一側(cè)是半導(dǎo)體，另一側(cè)是金屬，其實(shí)也是一個(gè)電容。

如果給MOS的M金屬側(cè)加正電荷，那挨著介質(zhì)的一側(cè)就會(huì)被感應(yīng)出負(fù)電荷。

一般半導(dǎo)體是一個(gè)體結(jié)構(gòu)，標(biāo)注為block，B，看電路符號(hào)都是有個(gè)箭頭，那個(gè)箭頭表示了電子被感應(yīng)的方向。上圖金屬正電荷，在介質(zhì)靠近金屬的地方，感應(yīng)出很多電子。

繼續(xù)設(shè)計(jì)這個(gè)結(jié)構(gòu)，兩側(cè)做成n型半導(dǎo)體，n型半導(dǎo)體里邊是有自由電子。MOS管加電壓，感應(yīng)吸附自由電子靠近氧化物，這些自由電子就把兩側(cè)的n型半導(dǎo)體導(dǎo)通了的。

金屬氧化物半導(dǎo)體，不加電，兩側(cè)半導(dǎo)體不導(dǎo)通。

MOS，控制兩側(cè)N型半導(dǎo)體是否導(dǎo)通，這是個(gè)NMOS，那底下的襯底就要做成P型半導(dǎo)體。在電路符號(hào)里，就會(huì)看到這么標(biāo)注。

襯底做成P型，是在無(wú)電壓的情況下，源和漏是一對(duì)兒背靠背的二極管，能夠穩(wěn)定截止。

綜合一下，NMOS的電路符號(hào)是這樣的。

一般咱們適用的MOS管，并不會(huì)做成四個(gè)電極，而是會(huì)吧體電極與源合并。

小結(jié)一下NMOS：

① MOS中金屬加正電壓，底部感應(yīng)出電子

② 自由電子，導(dǎo)通兩側(cè)的n型半導(dǎo)體

③ 零電壓時(shí)，源漏之間是反向截止二極管。

同理，下圖PMOS

① MOS中金屬加負(fù)電壓，底部感應(yīng)出空穴，（下頭的箭頭，是電子的方向，空穴流向氧化物邊緣，電子則會(huì)遠(yuǎn)離）

② 空穴增多，導(dǎo)通兩側(cè)的p型半導(dǎo)體，（P型半導(dǎo)體也是有空穴）

③ 零電壓時(shí)，源漏之間是反向截止二極管。（PMOS源漏之間的電壓和PN結(jié)的電壓，通通都和NMOS反向。依然是截止。）

但凡可以看到源漏標(biāo)注，就可以通過(guò)寄生電壓的方式來(lái)判別是nmos還是pmos。

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