驅(qū)動(dòng)雙極型晶體管的電路
信息來(lái)源：本站 日期：2017-05-17
其他類(lèi)型的基極驅(qū)動(dòng)電路
在過(guò)去的幾年里 ，出現(xiàn)了許多專(zhuān)門(mén)用于驅(qū)動(dòng)雙極型晶體管的電路 。它們大多應(yīng)用于低功率場(chǎng)合 ，這些電路通過(guò)各種方法來(lái)達(dá)到以 F兩個(gè)目標(biāo) ：①用最少的元器件獲得反向基極電壓和反向基極電流，或者在關(guān)斷和導(dǎo)通的過(guò)相巾將基極和發(fā)射極短路：②在主電路電流最大的時(shí)候，正向基極電流足夠驅(qū)動(dòng)盧值小的晶體管 ，同時(shí)不會(huì)在主電路電流最小時(shí)驅(qū)動(dòng)盧值大的晶 體管而產(chǎn)生存儲(chǔ)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)的問(wèn)題 。下面將給出些例子。
設(shè)計(jì)了如圖 8.14 C a ）所示的電路 ，用在 lOOOW 的離線(xiàn)式電源中該電路的主要特性是 ，在 Q2 即將關(guān)斷時(shí)導(dǎo)通 QI ，并通過(guò)變壓器 Tl 將電流和 2V 反向基極偏置電壓提 供給功率晶體管 Q2o 它既可驅(qū)動(dòng)下橋臂的功率晶體管 ，也可工作在MOS管電源開(kāi)關(guān)電路中來(lái)驅(qū)動(dòng)上橋臂的晶體管。這個(gè)電路在低功率場(chǎng)合也得到了廣泛應(yīng)用 。它的工作原理如下 。
假設(shè)（ 圖 8.14 C b ) 電壓在 Q2 半個(gè)周期的部分時(shí)間內(nèi)為高 ，其余時(shí)間內(nèi) Q2 將 關(guān)斷 （ Q2 的死區(qū)），Ns 上的電壓被鉗位為零 。在下半個(gè)周期里 ，電壓反向?qū)Υ判倪M(jìn)行復(fù)位。將芯片的輸出腳 11 和輸出腳 14 連接于初級(jí)，就可以獲得所需的波形了。適當(dāng)選擇變壓器Tl 的比使次級(jí)電壓 Vs 約為 4V。再選擇合適的電阻 RI ，給 Q2 基極限流 ，并能夠以要求的速度將 P 值最小的晶體管MOS管驅(qū)動(dòng)至飽和導(dǎo)通 ，即
Ns 上的電壓約為 4V, R I 上的電壓約為 3V, 左端被充電到相對(duì) Q2 發(fā)射極為一2V, RI 左端電位相對(duì)于 Q2 發(fā)射極為一3V 。當(dāng) R l 中有電流流過(guò)時(shí)，Ql 有一lV 反偏電壓 ，處于關(guān) 斷狀態(tài)。
在死區(qū)初始時(shí)刻 ，Vs 跌落至零 ，Q2 快速關(guān)斷 ，其存儲(chǔ)時(shí)間越小越好 。一旦 Vs 下降為零， Cl 左端電位將比 Q2 發(fā)射極電位低 2V, 就相當(dāng)于一個(gè) 2V 的浮充電源，給由 R l 、R2 和 Ql 的基射極串聯(lián)構(gòu)成的電路供電 。
此時(shí)，QI 導(dǎo)通 ，提供 Q2 基射極間的 2V 反向偏置電壓 ，Q2 關(guān)斷。Q2 基極的反向電流 具體是多少并不能確定 。QI 為 2N2222A 型管，它是一種流過(guò) 500mA 電流時(shí)，最小增益為 50 的快速晶體管 ，這足夠令 Q2 快速關(guān)斷了 ，且存儲(chǔ)時(shí)間也足夠小 。在 風(fēng)的同名端再次為正 時(shí)，QI 因墓極反偏而關(guān)斷 。
如圖 8.14 C c ） 所示，該電路用更為便宜的 SG3524 芯片取代了 UC3525 。在這里 ，當(dāng) Vs 極性反向時(shí) ，穩(wěn)壓二極管 Zl ( 3.3V ） 和二極管 D2 對(duì)其進(jìn)行鉗位 ，并在設(shè)定的時(shí)間內(nèi)對(duì)磁心 進(jìn)行復(fù)位 。為了避免被 QI 鉗位 ，二極管 D3 用來(lái)阻斷復(fù)位電壓 。
Cl 通過(guò) DI 被充至一個(gè)浮充偏置電壓 ，它通過(guò)R I 和 R2 的串聯(lián)電路導(dǎo)通 Qla Ql 導(dǎo)通時(shí)， 將 Q2 基極電壓拉低到一 2V ，從而關(guān)斷 Q2。由于增加了二極管 D3, Tl 的臣比需要根據(jù)使 Vs 獲得約 5V 電壓的要求進(jìn)行選擇。
圖 8.14 (a) Wood 基極MOS驅(qū)動(dòng)電路 。當(dāng) N，的同名端為正，Q2 導(dǎo)通時(shí)，其基極電流被 Rl 限制。電壓 V，的選 擇應(yīng)滿(mǎn)足使在流過(guò)己知基極電流的時(shí)候 Rl 上約有 4V 的電壓。若 Rl 上電壓為 4V ，則 Cl 通過(guò) D1 充電至 3V 。當(dāng) N，上有電壓時(shí)，QI 被反向偏置而關(guān)斷 。當(dāng) NP 上的電壓跌落至零時(shí) ，N，上的電壓 也跌落至零 。Cl 上的 3V 電壓通過(guò)電阻 Rl 和 R2 將 Ql 導(dǎo)通。這樣就給 Q2 的基極施加上 3V 的 反向偏置電壓 ，并令其迅速關(guān)斷 。C c） 在電路中增加 D3, Zl 和 D2 ，允許 Tl 直接連接到 3524 芯 片的輸出晶體管集電極上。
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