5G通訊基站保護板專用MOS管原廠優勢凸顯 KNX2710A 160A/100V-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-10-18
5G基站是5G網絡的核心設備，基站的架構、形態直接影響5G網絡的部署策略。在目前的技術標準中，5G的頻段遠高于當前的2G和3G，5G頻段的特點也決定著在達到3G覆蓋質量的情況下，5G的基站密度將更高。
5G基站主要用于提供5G空口協議功能，支持與用戶設備、核心網之間的通信。按照邏輯功能劃分，5G基站可分為5G基帶單元與5G射頻單元，二者之間可通過CPRI或eCPRI接口連接。
5G基帶單元負責NR基帶協議處理，包括整個用戶面（UP）及控制面（CP）協議處理功能，并提供與核心網之間的回傳接口（NG接口）以及基站間互連接口（Xn接口）。
5G射頻單元主要完成NR基帶信號與射頻信號的轉換及NR射頻信號的收發處理功能。在下行方向，接收從5G基帶單元傳來的基帶信號，經過上變頻、數模轉換以及射頻調制、濾波、信號放大等發射鏈路（TX）處理后，經由開關、天線單元發射出去。在上行方向，
5G射頻單元通過天線單元接收上行射頻信號，經過低噪放、濾波、解調等接收鏈路（RX）處理后，再進行模數轉換、下變頻，轉換為基帶信號并發送給5G基帶單元。
專有新溝槽技術
RDS(ON),typ.=4.5mΩ@VGS=10V
低柵極電荷使開關損耗最小化
快恢復體二極管
型號：KNX2710A
工作方式：160A/100V
漏源電壓：100V
柵極到源極電壓:±20V
連續漏電流:160A/80A/120A
脈沖漏電流在VGS=10V：640A
單脈沖雪崩能量:1200MJ
峰值二極管恢復dv/dt:5.0V/ns
功耗:333W
漏源擊穿電壓:100V
輸入電容:8000pF
反向轉移電容:950pF
輸出電容:760pF
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深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開發設計，集研發、生產和銷售為一體的國家高新技術企業。
現已經擁有了獨立的研發中心，研發人員以來自韓國(臺灣)超一流團隊，可以快速根據客戶應用領域的個性來設計方案，同時引進多臺國外先進設備，業務含括功率器件的直流參數檢測、雪崩能量檢測、可靠性實驗、系統分析、失效分析等領域。
強大的研發平臺，使得KIA在工藝制造、產品設計方面擁有知識產權35項，并掌握多項場效應管核心制造技術。自主研發已經成為了企業的核心競爭力。
KIA專注于產品的精細化與革新，力求為客戶提供最具行業領先、品質上乘的科技產品。
KIA半導體從設計研發到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實現了一體化的服務鏈，真正做到了服務細節全到位的品牌內涵，我們致力于成為場效應管（MOSFET）功率器件領域的領跑者，為了這個目標，KIA半導體正在持續創新，永不止步！
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