高壓大功率MOS管

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。

一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。

高壓大功率MOS管原廠概述

高壓大功率MOS管原廠介紹，深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。

高壓大功率MOS管

強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計方面擁有知識產(chǎn)權(quán)35項，并掌握多項場效應(yīng)管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。

KIA半導(dǎo)體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產(chǎn)品的精細(xì)化與革新，力求為客戶提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。

高壓大功率MOS管

從設(shè)計研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導(dǎo)體真正實現(xiàn)了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細(xì)節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場效應(yīng)管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個目標(biāo)，KIA半導(dǎo)體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！

高壓大功率MOS管

KIA半導(dǎo)體高壓大功率MOS管產(chǎn)品特點

（1）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好

（2）場效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大

（3）場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS來控制ID

（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)

（5）場效應(yīng)管的抗輻射能力強

（6）由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低

高壓大功率MOS管選型表

以下是KIA推薦的高壓大功率MOS管型號，如有需要請聯(lián)系我們，我們將竭誠為您服務(wù)。

Part Numbe	ID（A）	BVDSS（v）	Typical RDS(ON)@60% ID（Ω）	MAX RDS(ON)@60% ID（Ω）	ciss
Part Numbe	ID（A）	BVDSS（v）	Typical RDS(ON)@60% ID（Ω）	MAX RDS(ON)@60% ID（Ω）	pF
KNX9120A	40	200	0.05	0.065	2800
KNX9130A	40	300	0.11	0.13	3100
KNX3730A	50	300	0.05	0.065	3400
KIA5N50H	5	500	1.25	1.5	525
KIA840S	8	500	0.7	0.9	960
KIA4750S	9	500	0.7	0.9	960
KNX4850A	9	500	0.7	0.9	960
KNX6450A	13	500	0.4	0.48	2149
KNX6650A	15	500	0.33	0.45	2148
KIA18N50H	18	500	0.25	0.32	2500
KIA20N50H	20	500	0.21	0.26	2700
KIA24N50H	24	500	0.16	0.2	3500
KNX7650A	25	500	0.17	0.21	4280
KNH8150A	30	500	0.15	0.2	4150
KIA10N80H	10	800	0.85	1.1	2230