SS34肖特基二極管，具有高速開關特性和低正向壓降，反向擊穿電壓可達40V，正向...SS34肖特基二極管，具有高速開關特性和低正向壓降，反向擊穿電壓可達40V，正向電流最大可達3A，適用于高頻整流和開關電路。ss34二極管常用在小電流的（模型）電調...
KCY3206B場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流100A，使用先進的SGT MOSFET技術，...KCY3206B場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流100A，使用先進的SGT MOSFET技術，高密度單元設計，實現?極低導通電阻RDS(on) 2.4mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導...
當正向電壓超過某一數值后，二極管才有明顯的正向電流，該電壓值稱為導通電壓。...當正向電壓超過某一數值后，二極管才有明顯的正向電流，該電壓值稱為導通電壓。在室溫下，硅管的V th約為0.5V，鍺管的V th約為0.1V。大于導通電壓的區域稱為導通區...
晶體管Q1與晶體、電容C1、C2、C3和電感L2一起形成高頻RF振蕩器，其頻率由晶體的...晶體管Q1與晶體、電容C1、C2、C3和電感L2一起形成高頻RF振蕩器，其頻率由晶體的第3個泛音值決定。由于使用了晶體，因此頻率穩定無變化。 Q2晶體管與C8、L4也形成...
KCT1808A場效應管漏源擊穿電壓1500V，漏極電流3A，使用先進的SGT技術，極低導通...KCT1808A場效應管漏源擊穿電壓1500V，漏極電流3A，使用先進的SGT技術，極低導通電阻RDS(on) 1.25mΩ，優秀的柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，高效穩定；適用于...
